MeV-ion beam analysis of the interface between filtered cathodic arc-deposited a-carbon and single crystalline silicon
Amorphous carbon (a-C) films were deposited on Si(1 0 0) wafers by a filtered cathodic vacuum arc (FCVA) plasma source. A negative electrical bias was applied to the silicon substrate in order to control the incident energy of carbon ions. Effects of the electrical bias on the a-C/Si interface chara...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
---|---|
التنسيق: | دورية |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=56949104178&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/60722 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!