MeV-ion beam analysis of the interface between filtered cathodic arc-deposited a-carbon and single crystalline silicon

Amorphous carbon (a-C) films were deposited on Si(1 0 0) wafers by a filtered cathodic vacuum arc (FCVA) plasma source. A negative electrical bias was applied to the silicon substrate in order to control the incident energy of carbon ions. Effects of the electrical bias on the a-C/Si interface chara...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: T. Kamwanna, N. Pasaja, L. D. Yu, T. Vilaithong, A. Anders, S. Singkarat
التنسيق: دورية
منشور في: 2018
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=56949104178&origin=inward
http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/60722
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!