PENGEMBANGAN SISTEM HOT WIRE UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON POLIKRISTAL DENGAN KONDUKTIVITAS TINGGI
<b>Abstract: </b><br> It has been grown polycrystalline silicon thin film on silicon wafer <111>, using Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (HW-PECVD). Silane gas (SiH<sub>4</sub>), 10% diluted in H<sub>2</sub> was used as a gas source....
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | P. Simanjuntak, Mariati |
---|---|
التنسيق: | Theses |
اللغة: | Indonesia |
الوصول للمادة أونلاين: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/3044 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Institut Teknologi Bandung |
اللغة: | Indonesia |
مواد مشابهة
-
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS A-SI:H DENGAN METODA HW-PECVD DAN APLIKASINYA PADA TRANSISTOR LAPISAN TIPIS
بواسطة: Ahda, Syahfandi -
Sel surya silikon polikristal (PX silikon) N+-N-P-P+ dengan lapis silikon amorf (stacked amorphous silicon = SAS) untuk membentuk daerah N++-N
بواسطة: , JATMIKO, Budi, وآخرون
منشور في: (1997) -
PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SENG OKSIDA (ZNO) SEBAGAI ANTIREFLEKSI PADA SEL SURYA SILIKON MULTIKRISTAL
بواسطة: Septa Rosa, Erlyta -
Deposisi bahan lapisan tipis amorf silikon (a-Si) dengan teknik sputtering dan karakterisasi sifat listriknya
بواسطة: , MAHARDIKA, I Ketut, وآخرون
منشور في: (1997) -
PHOTOVOLTAIK LAPISAN TIPIS CdS
بواسطة: Herryanto<br> NIM. S2-128125, TB.