Rashba plasmon polaritons in semiconductor heterostructures
We propose a concept of surface plasmon-polariton amplification in the structure comprising interface between dielectric, metal, and asymmetric quantum well. Due to the Rashba spin-orbit interaction, minima of dispersion relation for electrons in conduction band are shifted with respect to the maxim...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Kaliteevski, M. A., Savenko, I. G., Iorsh, I. V., Kovalev, V. M. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Physical and Mathematical Sciences |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/100609 http://hdl.handle.net/10220/18647 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Spin multistability in dissipative polariton channels
بواسطة: Bozat, Ö., وآخرون
منشور في: (2013) -
Polariton spin Hall effect in a Rashba–Dresselhaus regime at room temperature
بواسطة: Liang, Jie, وآخرون
منشور في: (2024) -
Exciton-polariton lasers in magnetic fields
بواسطة: Durnev, M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Floquet topological polaritons in semiconductor microcavities
بواسطة: Ge, R., وآخرون
منشور في: (2018) -
Interface-based tuning of Rashba spin-orbit interaction in asymmetric oxide heterostructures with 3d electrons
بواسطة: Lin, Weinan, وآخرون
منشور في: (2019)