Comparative investigation of Si device with WBG devices
Power electronic systems have been in the society few decades. In the year 1970s, MOSFETs, which is Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors, significantly allowed designs of compact high-efficiency systems, mainly due to the tremendously improved power gain.
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/149431 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |