Design and analysis of RF low noise amplifier

This project studies the process of designing and analysing a narrowband Low Noise Amplifier (LNA) using a Field Effect Transistor (FET) at an operating frequency of 2.4 GHz. To provide a clearer understanding of the entire design procedure, design theories and formulas were also explained in detail...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Tan, Sean
مؤلفون آخرون: Tan Eng Leong
التنسيق: Final Year Project
اللغة:English
منشور في: Nanyang Technological University 2021
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/149905
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!