A 28GHz low-noise amplifier based on 40nm CMOS
This dissertation first introduces the theoretical basis of low-noise amplifiers, which includes active devices in CMOS process, passive devices, common topologies and performance indicators of LNAs. Then the design process of the LNA is introduced, including the selection of bias voltage and act...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thesis-Master by Coursework |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2023
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/168047 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |