Development of nitride-based optical phased array at 1092 nm for the optical addressing of ⁸⁸Sr+ Ion

Optical phased array (OPA) structures are designed and fabricated for the optical addressing of trapped 88Sr+ ions. Laser light of 1092 nm wavelength corresponding to the 2D3/2 to 2P1/2 of 88Sr+ ion is used, where silicon nitride (SiN) platform with integrated titanium nitride (TiN) thermos-optic he...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lim, Yu Dian, Goh, Simon Chun Kiat, Seit, Wen Wei, Zhao, Peng, Guidoni, Luca, Likforman, Jean-Pierre, Tan, Chuan Seng
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2023
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/168666
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!