Fabrication and characterisation of microelectronics devices, circuits and system II

The quantum well intermixing (QWI) technique using pulsed-photoabsorption-induced disordering (P-PAID) in the InGaAs/InGaAsP material system has been investigated.

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Zhang, Dao Hua
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: Research Report
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/2866
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
الوصف
الملخص:The quantum well intermixing (QWI) technique using pulsed-photoabsorption-induced disordering (P-PAID) in the InGaAs/InGaAsP material system has been investigated.