Fabrication of high brightness light emitting diode

This project was to design and fabricate a high-brightness GaN based light emitting diode (LED) on a <111> silicon substrate using a new light emitting disk structure to enhance the light extraction. The critical breakthrough that enabled fabrication of the first high-brightness blue LED using...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Foo, Fang Wei.
مؤلفون آخرون: Tang Xiaohong
التنسيق: Final Year Project
اللغة:English
منشور في: 2010
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/40292
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English