Fabrication of high brightness light emitting diode
This project was to design and fabricate a high-brightness GaN based light emitting diode (LED) on a <111> silicon substrate using a new light emitting disk structure to enhance the light extraction. The critical breakthrough that enabled fabrication of the first high-brightness blue LED using...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Foo, Fang Wei. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Tang Xiaohong |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/40292 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
High power gallium nitride light-emitting diodes for efficient solid state lighting and displays
بواسطة: Ji, Yun
منشور في: (2014) -
Metal oxide nanostructure growth and its application in light-emitting diodes
بواسطة: Ohnmar Kyaw.
منشور في: (2010) -
ZnO nanostructure growth and its application in light-emitting diodes
بواسطة: Hnin Lwin Lwin Aye.
منشور في: (2010) -
Design and growth of high-power gallium nitride light-emitting diodes
بواسطة: Zhang, Zihui
منشور في: (2014) -
Enhanced light emission of germanium light-emitting-diode on 150 mm Germanium-on-Insulator (GOI)
بواسطة: Wu, Shaoteng, وآخرون
منشور في: (2023)