Nano-scale characterization of advanced gate stacks using transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy

This thesis introduces the characterization methodologies which bridge microscopic properties of material change with macroscopic characteristics of a semiconductor device. The objective is to decode the nature of the insulator-to-conductor transition of the gate dielectrics when a leakage path is f...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Li, Xiang
مؤلفون آخرون: Pey Kin Leong
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2010
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/42369
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!