Molecular beam epitaxy of dilute nitride indium antimonide materials for long wavelength infrared application
InSb is an important material for high frequency electronic devices and for mid-infrared radiation detection. By adding a small amount of N into InSb, the band gap is found to decrease and this is useful for long wavelength infrared detector application. The main objectives of this thesis are to inv...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/60681 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |