Optical characteristics of 1.55 μm GaInNAs multi-quantum wells

We report the optical characterization of high-quality 1.55 mum GaxIn1-xNyAs1-y multiquantum wells (MQWs), grown on GaAs with Ga(In)N0.01As spacer layers. The transitions between the quantized QW states of the electrons and holes have been identified using photoluminescence excitation spectroscopy....

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Sun, Handong, Calvez, Stephane, Dawson, M. D., Qiu, Y. N., Rorison, J. M., Clark, Antony H., Liu, H. Y., Hopkinson, M.
مؤلفون آخرون: School of Physical and Mathematical Sciences
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/90379
http://hdl.handle.net/10220/6060
http://sfxna09.hosted.exlibrisgroup.com:3410/ntu/sfxlcl3?sid=metalib:ELSEVIER_SCOPUS&id=doi:&genre=&isbn=&issn=&date=2004&volume=85&issue=18&spage=4013&epage=4015&aulast=Sun&aufirst=%20H%20D&auinit=&title=Applied%20Physics%20Letters&atitle=Optical%20characteristics%20of%201%2E55%20%CE%BCm%20GaInNAs%20multiple%20quantum%20wells&sici.
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!