16.6- and 28-GHz fully integrated CMOS RF switches with improved body floating
This paper presents two fully integrated CMOS transmit/receive (T/R) switches with improved body-floating operations. The first design exploits an improved transistor layout with asymmetric drain–source region, which reduces the drain–source feed-through for body-floated RF switches. In the s...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Li, Qiang, Zhang, Yue Ping, Yeo, Kiat Seng, Lim, Wei Meng |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/90772 http://hdl.handle.net/10220/5992 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Analysis and design of 60-GHz SPDT switch in 130-nm CMOS
بواسطة: He, Jin, وآخرون
منشور في: (2013) -
Design of SPST/SPDT switches in 65nm CMOS for 60GHz applications
بواسطة: He, Jin, وآخرون
منشور في: (2010) -
Fully-integrated CMOS building blocks for phase-locked loops in the multi-GHz range
بواسطة: Yu, Xiaopeng
منشور في: (2008) -
A 28GHz low-noise amplifier based on 40nm CMOS
بواسطة: Zeng, Haoyang
منشور في: (2023) -
2.45GHz wide input range CMOS rectifier for RF energy harvesting
بواسطة: Lau, Wendy Wee Yee, وآخرون
منشور في: (2021)