100-GHz quasi-yagi antenna in silicon technology

This letter presents a 100-GHz integrated Quasi-Yagi antenna on silicon substrates of low resistivity 10 Omegamiddotcm. The fabrication was realized with the back-end-of-line process. The characterization was conducted on wafer with Cascade Microtech coplanar probes and an HP8510XF network analyzer....

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Sun, Mei, Zhang, Yue Ping
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/91333
http://hdl.handle.net/10220/4568
http://sfxna09.hosted.exlibrisgroup.com:3410/ntu/sfxlcl3?sid=metalib:EVII&id=doi:10.1109/LED.2007.895447&genre=&isbn=&issn=07413106&date=2007&volume=28&issue=5&spage=455&epage=457&aulast=Sun&aufirst=%20Mei&auinit=&title=IEEE%20Electron%20Device%20Letters&atitle=100%2DGHz%20Quasi%2DYagi%20antenna%20in%20silicon%20technology
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English