Quantum well intermixing in GaInNAs/GaAs structures

We report on the characteristics of quantum well intermixing in GaInNAs/GaAs structures of differing N content. Rapid thermal annealing combined with SiO2 caps deposited on the surface of the samples is used to disorder 1.3 mum GaInNAs/GaAs multiquantum wells which have been preannealed in-situ to t...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Sun, Handong, Macaluso, Roberto, Calvez, Stephane, Dawson, M. D., Robert, F., Bryce, A. C., Marsh, J. H., Gilet, P., Grenouillet, L., Million, A., Nam, K. B., Lin, J. Y., Jiang, H. X.
مؤلفون آخرون: School of Physical and Mathematical Sciences
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/91816
http://hdl.handle.net/10220/6062
http://sfxna09.hosted.exlibrisgroup.com:3410/ntu/sfxlcl3?sid=metalib:EBSCO_APH&id=doi:&genre=&isbn=&issn=00218979&date=2003&volume=94&issue=12&spage=7581&epage=7585&aulast=Sun&aufirst=%20H%20%20D&auinit=&title=Journal%20of%20Applied%20Physics&atitle=Quantum%20well%20intermixing%20in%20GaInNAs%2FGaAs%20structures%2E&sici.
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!