Enhanced and continuous electrostatic carrier doping on the SrTiO3 surface

Paraelectrical tuning of a charge carrier density as high as 10 13 cm-2 in the presence of a high electronic carrier mobility on the delicate surfaces of correlated oxides, is a key to the technological breakthrough of a field effect transistor (FET) utilising the metal-nonmetal transition. Here we...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Panagopoulos, Christos, Eyvazov, A. B., Inoue, I. H., Stoliar, P., Rozenberg, M. J.
مؤلفون آخرون: School of Physical and Mathematical Sciences
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/97419
http://hdl.handle.net/10220/11950
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!