Enhanced and continuous electrostatic carrier doping on the SrTiO3 surface
Paraelectrical tuning of a charge carrier density as high as 10 13 cm-2 in the presence of a high electronic carrier mobility on the delicate surfaces of correlated oxides, is a key to the technological breakthrough of a field effect transistor (FET) utilising the metal-nonmetal transition. Here we...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97419 http://hdl.handle.net/10220/11950 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!