The ferroelectric-antiferroelectric transition in Pb[Zr0.9(CexTi1-x)0.1]O3 due to Ce4+ doping
10.1016/S0038-1098(02)00848-7
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Huang, H., Guo, J., Kong, L.B., Hng, H.H., Oh, J.T., Hing, P., Tan, O.K. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | TEMASEK LABORATORIES |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/111495 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Ferroelectricity and ferroelectric resistive switching in sputtered Hf0.5Zr0.5O2 thin films
بواسطة: Fan, Zhen, وآخرون
منشور في: (2016) -
Programmable ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 enabled by oxygen defect engineering
بواسطة: Shao, Minghao, وآخرون
منشور في: (2024) -
Growth and electrical properties of highly (0 0 1)-oriented Pb(Zr 0.52Ti0.48)O3 thin films on amorphous TiN buffered Si(1 0 0)
بواسطة: Zhu, T.J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Microstructural and dielectric studies of A-site calcium doped PbZr 0.94Ti0.06O3 ceramics
بواسطة: Huang, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Dielectric and piezoelectric properties of [0 0 1] and [0 1 1]-poled relaxor ferroelectric PZN-PT and PMN-PT single crystals
بواسطة: Rajan, K.K., وآخرون
منشور في: (2014)