Spin-polarized inter-grain tunneling as the probable mechanism for low-field magnetoresistance in partially crystallized La0.5Sr0.5MnO3 thin films

Spin-polarized inter-grain tunneling as the probable mechanism for low-field magnetoresistance in partially crystallized La0.5Sr0.5MnO3 thin films

10.1007/s003390100823

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liu, J.-M., Yuan, G.L., Chen, X.Y., Liu, Z.G., Du, Y.W., Huang, Q., Li, J., Xu, S.Y., Ong, C.K.
مؤلفون آخرون: INSTITUTE OF ENGINEERING SCIENCE
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113103
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة

مواد مشابهة