Analysis of extended defects in InGaAIP grown by metal-organic chemical vapour deposition using tertiary- butyl phosphine

• المؤلف الرئيسي: LIM HUI FERN, MICHELE
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Theses and Dissertations
• اللغة: English
• منشور في: 2010
• الموضوعات: DLTS, Extended Defect, threshold pulse width
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/14701
• المؤسسة: National University of Singapore

Master's