KEY ISSUES IN USING TWO-DIMENSIONAL TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES FOR TRANSISTOR APPLICATIONS
Ph.D
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | HUANG BINJIE |
---|---|
مؤلفون آخرون: | DEAN'S OFFICE (NGS FOR INTGR SCI & ENGG) |
التنسيق: | Theses and Dissertations |
اللغة: | English |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/164204 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
SELECTED ISSUES FACING THE USE OF TWO-DIMENSIONAL MATERIALS IN TRANSISTORS
بواسطة: LEONG WEI SUN
منشور في: (2015) -
Polymorphism of segmented grain boundaries in two-dimensional transition metal dichalcogenides
بواسطة: Yu, Maolin, وآخرون
منشور في: (2022) -
MULTIPHOTON ABSORPTION IN MONOLAYER TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES
بواسطة: ZHOU FENG
منشور في: (2018) -
ELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF TWO-DIMENSIONAL TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES AND THEIR HETEROSTRUCTURES
بواسطة: WANG SHUNFENG
منشور في: (2016) -
CLASSICAL AND QUANTUM TRANSPORT PROPERTIES OF SEMICONDUCTING TRANSITION METAL DICHALCOGENIDE NANOSHEETS
بواسطة: CHU LEIQIANG
منشور في: (2015)