Physical Insights into Vacancy-Based Memtransistors: Toward Power Efficiency, Reliable Operation, and Scalability

• المؤلفون الرئيسيون: SIVAN MAHESWARI, LEONG JIN FENG, JOYDEEP GHOSH, TANG BAOSHAN, JIEMING PAN, Evgeny Zamburg, THEAN VOON YEW, AARON
• مؤلفون آخرون: Nordlander, Prof Peter
• التنسيق: مقال
• اللغة: English
• منشور في: ACS Nano 2022
• الموضوعات: Two-dimensional materials; memory, memtransistor; physical model; vacancies; memristive 29 switching; channel length scaling
• الوصول للمادة أونلاين: https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/231800
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1021/acsnano.2c04504