Shared-Write-Channel-Based Device for High-Density Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory

• المؤلفون الرئيسيون: Rahul Mishra, Taehwan Kim, Jongsun Park, Hyunsoo Yang
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2024
• الوصول للمادة أونلاين: https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/249144
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1103/PhysRevApplied.15.024063