Effect of high temperature and interface treatments on photoluminescence from InGaN/GaN multiple quantum wells with green light emissions

• المؤلفون الرئيسيون: Liu, W., Chua, S.J., Zhang, X.H., Zhang, J.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55746

10.1063/1.1597990