Effect of the inversion layer on the electrical characterization of Pt germanide/n-Ge (001) Schottky contacts

10.1063/1.2408665

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Yao, H.B., Chi, D.Z., Li, R., Lee, S.J., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55764
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore