Parasitic capacitance characteristics of deep submicrometre grooved gate MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Sreelal, S., Lau, C.K., Samudra, G.S.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56991
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1088/0268-1242/17/3/301