Tin-incorporated source/drain and channel materials for field-effect transistors

• المؤلفون الرئيسيون: Yeo, Y.-C., Han, G., Gong, X., Wang, L., Wang, W., Yang, Y., Guo, P., Liu, B., Su, S., Zhang, G., Xue, C., Cheng, B.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72032
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1149/05009.0931ecst