Reverse I-V characteristics of Au/semi-insulating GaAs(1 0 0)

Reverse I-V characteristics of Au/semi-insulating GaAs(1 0 0)

Solid State Communications

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Luo, Y.L., Chen, T.P., Fung, S., Beling, C.D.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81108
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

Characteristics of GaAs MISFET devices using low-temperature-grown Al0.3Ga0.7As as gate insulator
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

AlGaAs optical phonon replicas in the photoluminescence spectra of GaAs layer in an Al0.3Ga0.7As/GaAs heterostructure
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Transient current spectroscopy and frequency dispersion studies of low temperature GaAs and Al0.3Ga0.7As metal-insulator-semiconductor diodes
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Ion-induced nitridation of GaAs(1 0 0) surface
بواسطة: Li, Y.G., وآخرون
منشور في: (2014)

Copper as an electron trap in GaAs0.6P0.4
بواسطة: Tan, H.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Quasianalytical model for LT-GaAs and LT-Al0.3Ga0.7As MISFET devices
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Low-temperature grown GaAs and Al0.3Ga0.7As MISFETs - characterization and model development
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Physical analytical model for LT-GaAs and LT-Al0.3Ga0.7 As MISFET Devices
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Effect of LT-layer thickness on the performance of LT-GaAs and LT-Al0.3Ga0.7As MISFETs
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Effects of thermal stress on low-temperature-grown GaAs and Al0.3Ga0.7As MISFET parameters
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

STUDY OF LT-GAAS AND LT-AL0.3GA0.7AS MISFET DEVICES
بواسطة: RAPETA V.V.V. JAGANNADHA RAO
منشور في: (2020)

Highly strained quantum structures grown on GaAs (0 0 1) vicinal substrate by MOCVD
بواسطة: Wang, B., وآخرون
منشور في: (2014)

Alternative (Pd,Ti,Au) contacts to (Pt,Ti,Au) contacts for In0.53Ga0.47As
بواسطة: Chor, E.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Barrier height determination of Au/Oxidized GaAs/n-GaAs using ballistic electron emission spectroscopy
بواسطة: Bosman, Michel, وآخرون
منشور في: (2013)

Intradonor 1s-2p+ absorption line shapes of doped GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattices
بواسطة: Jiang, P., وآخرون
منشور في: (2014)

Low frequency noise analysis of LT-GaAs and LT-AI0.3Ga0.7 As MISFET active layers
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

First-principles calculations of GaAs1-xPx-Al0.3Ga0.7As(001) band offsets
بواسطة: Zhang, X.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Annealing behavior of N-bonding configurations in GaN 0.023As0.977 ternary alloy grown on GaAs (0 0 1) substrate by molecular beam epitaxy
بواسطة: Liu, H.F., وآخرون
منشور في: (2014)

Growth of InAs0.32Sb0.68on GaAs using a thin GaInSb buffer and strain superlattice layers
بواسطة: Tan, Kian Hua, وآخرون
منشور في: (2022)

Electron transfer efficiency of Si δ-modulation-doped pseudomorphic GaAs/In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs quantum wells
بواسطة: Li, G., وآخرون
منشور في: (2014)

Thermal stability of MISFET with low-temp molecular-beam epitaxy-grown GaAs and Al0.3Ga0.7As gate Ins
بواسطة: Rao, R.V.V.V.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Different temperature and pressure behavior of band edge and N-cluster emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
بواسطة: Ding, K., وآخرون
منشور في: (2013)

On STM imaging of GaAs(0 0 1)-(n × 6) surface reconstructions: Does the (6 × 6) structure exist?
بواسطة: Xu, H., وآخرون
منشور في: (2014)

A STUDY OF TRAPS IN SEMI-INSULATING GAAS GROWN BY MBE AT LOW TEMPERATURES
بواسطة: GOO CHUEN HANG
منشور في: (2020)

Characterization of thin-film GaAs diodes grown on germanium-on-insulator on Si substrate
بواسطة: Chia, Ching Kean, وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of thin-film GaAs diodes grown on germanium-on-insulator on Si substrate
بواسطة: Xu, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

Contact resistivity dependence on Ge:Ni ratio in AuNiAuGe metallization on n-GaAs
بواسطة: Chua, Soo-Jin, وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of the dependence of the contact resistance on the external gold layer in AuNiGeAu/n-GaAs
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Co-doping carbon tetrabromide (CBr4) and antimony (Sb) on GaAs [1 0 0] in solid source molecular beam epitaxy
بواسطة: Cheah, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)

Growth of InAs quantum dots on shallow spherically shaped craters prepared on GaAs (0 0 1) substrates: An extended set of vicinal surfaces
بواسطة: Zheng, Y.B., وآخرون
منشور في: (2014)

GaAs heteroepitaxy on SiGe-on-insulator using ge condensation and migration enhanced epitaxy
بواسطة: Oh, H.J., وآخرون
منشور في: (2014)

The development of a highly selective KI/I2/H2O/H2SO4 etchant for the selective etching of Al0.3Ga0.7As over GaAs
بواسطة: Lau, W.S., وآخرون
منشور في: (2014)

Design and Analysis of a Cascode Distributed LNA with Gain and Noise Improvement in 0.15-µm GaAs pHEMT Technology
بواسطة: Xu Yan, وآخرون
منشور في: (2023)

In 0.49 Ga 0.51 P/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) on 200 mm Si substrates : effects of base thickness, base and sub-collector doping concentrations
بواسطة: Wang, Yue, وآخرون
منشور في: (2019)

In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) on 200 mm Si substrates: Effects of base thickness, base and sub-collector doping concentrations
بواسطة: Wang, Y, وآخرون
منشور في: (2020)

Defects and surfactant action of antimony on GaAs and GaAs 1-xNxon GaAs [100] by molecular beam epitaxy
بواسطة: Cheah, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)

From aggregation-induced emission of Au(I)-thiolate complexes to ultrabright Au(0)@Au(I)-thiolate core-shell nanoclusters
بواسطة: Luo, Z., وآخرون
منشور في: (2014)

Electrical characteristics and behavioral model of spiral inductors on GaAs substrate
بواسطة: Pan, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

A Compact 1.0-12.5 GHz LNA MMIC with 1.5-dB NF Based on Multiple Resistive Feedback in 0.15-µm GaAs pHEMT Technology
بواسطة: Xu Yan, وآخرون
منشور في: (2023)

Surfactant and impurity properties of antimony on GaAs and GaAs 1-xNx on GaAs [100] by solid source molecular beam epitaxy
بواسطة: Cheah, W.K., وآخرون
منشور في: (2014)