Aluminum-doped gadolinium oxides as blocking layer for improved charge retention in charge-trap-type nonvolatile memory devices

10.1109/TED.2009.2030834

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Pu, J., Chan, D.S.H., Kim, S.-J., Cho, B.J.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81946
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!