Hysteresis of electronic transport in graphene transistors
10.1021/nn101950n
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Wang, H., Wu, Y., Cong, C., Shang, J., Yu, T. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82488 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Investigation of the Thermal and Electrical Properties of Graphene
بواسطة: WANG ZIQIAN
منشور في: (2012) -
Graphene-based spin diode and transistor
بواسطة: Zeng, M.G., وآخرون
منشور في: (2014) -
Graphene nanoribbon tunneling field-effect transistors with a semiconducting and a semimetallic heterojunction channel
بواسطة: Da, H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Ultrasensitive graphene position-sensitive detector induced by synergistic effects of charge injection and interfacial gating
بواسطة: Wang, W., وآخرون
منشور في: (2021) -
Flow sensing of single cell by graphene transistor in a microfluidic channel
بواسطة: Ang, P.K., وآخرون
منشور في: (2014)