Low temperature metal-induced lateral crystallization of Si 1-xGex using silicide/germanide-forming-metals

• المؤلفون الرئيسيون: Phung, T.H., Xie, R., Tripathy, S., Yu, M., Zhu, C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82630
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1143/JJAP.49.04DH10