MOS Characteristics of synthesized HfAlON-HfO2 stack using AlN-HfO2

• المؤلفون الرئيسيون: Park, C.S., Cho, B.J., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82723
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2004.834246