Silane-ammonia surface passivation for gallium arsenide surface-channel n-MOSFETs

10.1109/LED.2008.2010831

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chin, H.-C., Zhu, M., Liu, X., Lee, H.-K., Shi, L., Tan, L.-S., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	GaAs High mobility High-k MOSFET Surface passivation
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83019
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الوصف
الملخص:	10.1109/LED.2008.2010831

مواد مشابهة