SIMS study of silicon oxynitride rapid thermally grown in nitric oxide

10.1016/S0218-625X(01)00145-2

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Liu, R., Koa, K.H., Wee, A.T.S., Lai, W.H., Li, M.F., See, A., Chan, L.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83024
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore