Sub-100 nanometer channel length Ge/Si nanowire transistors with potential for 2 THz switching speed
10.1021/nl073407b
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2014
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83107 |
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| 機構: | National University of Singapore |