Vacancy effects on plasma-induced damage to n-type GaN

• المؤلفون الرئيسيون: Chua, S.J., Choi, H.W., Zhang, J., Li, P.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83254
• المؤسسة: National University of Singapore

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics