Strain engineering for hole mobility enhancement in P-channel field-effect transistors

• المؤلف الرئيسي: Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84227

International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings, ICSICT