Three-port RF characterization of MOS transistors

• المؤلفون الرئيسيون: Mahalingam, U., Rustagi, S.C., Samudra, G.S.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Admittance matrix; Capacitance; Impedance; Inductance; Modeling; MOSFETs; Scattering parameters measurement
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84307

10.1109/ARFTGS.2005.1500569