Copper as an electron trap in GaAs0.6P0.4
Applied Physics A: Solids and Surfaces
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Tan, H.S., Han, M.K., Hu, P.Y., Zheng, J.H., Ng, S.C., Gong, H. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96106 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
COPPER-INDUCED DEEP LEVEL DEFECTS IN GAAS[0.6]P[0.4] ALLOY SEMICONDUCTOR
بواسطة: HU PEH YIN
منشور في: (2020) -
PULSE-DURATION DEPENDENT CAPACITANCE ANALYSIS AND ITS APPLICATION TO COPPER GAAS[0.6]P[0.4]
بواسطة: HAN MENG KWONG
منشور في: (2020) -
Lattice-mismatched In0.4Ga0.6As Source/Drain stressors with In Situ doping for strained In0.53 Ga0.47 as channel n-MOSFETs
بواسطة: Chin, H.-C., وآخرون
منشور في: (2014) -
Ion-induced nitridation of GaAs(1 0 0) surface
بواسطة: Li, Y.G., وآخرون
منشور في: (2014) -
AlGaAs optical phonon replicas in the photoluminescence spectra of GaAs layer in an Al0.3Ga0.7As/GaAs heterostructure
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)