First-principles study of the effect of Bi Ga heteroantisites in GaAs:Bi alloy
10.1016/j.commatsci.2012.06.014
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Li, D., Yang, M., Zhao, S., Cai, Y., Lu, Y., Bai, Z., Feng, Y. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96657 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
GaN-based semiconductor saturable absorber mirror operating around 415 nm
بواسطة: Xiang, N., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of dislocations and traps in MBE grown p-InGaAs/GaAs heterostructures
بواسطة: Du, A.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study on InGaN/GaN quantum structures and their applications in semiconductor saturable absorber mirror
بواسطة: LIN FEN
منشور في: (2010) -
A comparison of the selective etching characteristics of conventional and low-temperature-grown GaAs over AlAs by various etching solutions
بواسطة: Zhao, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
Novel modelling methods for microwave GaAs MESFET device
بواسطة: ZHONG ZHENG
منشور في: (2011)