Raman shift and broadening in stress-minimized Ge nanocrystals in silicon oxide matrix

• المؤلفون الرئيسيون: Jie, Y.X., Huan, Cha, Wee, A.T.S., Shen, Z.X.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/97736

Materials Research Society Symposium - Proceedings