Room-temperature photoluminescence, contactless electroreflectance, and X-ray characterization of a double-side delta-doped GaAlAs/InGaAs high electron mobility transistor structure

• المؤلفون الرئيسيون: Huang, Y.S., Sun, W.D., Malikova, L., Pollak, F.H., Ferguson, I., Hou, H., Feng, Z.C., Ryan, T., Fantner, E.B.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/97845

Applied Physics Letters