Ion beam synthesis of silicon carbide
Formation and crystallization of a thin near-surface layer of silicon carbide on a silicon substrate, created by ion-beam synthesis (IBS), are discussed. 80 and 40 keV carbon ions were implanted into a (1 0 0) high-purity p-type silicon substrate at room temperature and 400°C, respectively, using do...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference or Workshop Item |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2014
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-24944434772&partnerID=40&md5=cd472d1ef39f2f96f05807ffa450c1a4 http://cmuir.cmu.ac.th/handle/6653943832/4944 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Chiang Mai University |
| اللغة: | English |