Transition in (001) AlGaAs/AlAs/GaAs double-barrier quantum structure for infrared photodetection
Optical transitions for the (001) Al0.3Ga0.7As/AlAs/GaAs double-barrier superlattices are evaluated by a semiempirical, tight-binding calculation. The oscillator strength between the hole and electron states confined in either Γ- or X-like well are investigated as a function of AlAs slab thickness....
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://repository.li.mahidol.ac.th/handle/123456789/17838 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Mahidol University |