PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS A-SI:H DENGAN METODA HW-PECVD DAN APLIKASINYA PADA TRANSISTOR LAPISAN TIPIS
<b>Abstrct:<p align=\"justify\"> <br /> <br /> <br /> Development of PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) system to be HW-PECVD (Hot Wire-Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) has been carried out by the way of the tungsten coil filame...
Saved in:
Main Author: | Ahda, Syahfandi |
---|---|
Format: | Theses |
Language: | Indonesia |
Online Access: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/5339 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Institution: | Institut Teknologi Bandung |
Language: | Indonesia |
Similar Items
-
Deposisi dan karakterisasi lapisan tipis a-Si:H (Deposition and characterization of a-Si:H thin films)
by: , ANAS, Muhammad, et al.
Published: (1995) -
FABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS A-SIC:H DAN DEVAIS SEL SURYA A-SIC:H/A-SI:H DENGAN METODE PECVD
by: U R S A L, M -
PENGEMBANGAN SISTEM HOT WIRE UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON POLIKRISTAL DENGAN KONDUKTIVITAS TINGGI
by: P. Simanjuntak, Mariati -
PHOTOVOLTAIK LAPISAN TIPIS CdS
by: Herryanto<br> NIM. S2-128125, TB. -
FABRIKASI FOTORESEPTOR BERBASIS LAPISAN IPIS A-SI:H DAN PADUANNYA DENGAN REAKTOR PECVD GANDA
by: Kade Suardana, I