The Mobilities of Carriers Confined in a Single-side Doped Square Quantum Wells Dependence on Temperature

A theory is given of the mobility of a two-dimensional electron gas at high temperature in single-side square quantum wells. Within the variational approach, we obtain analytic expressions for the carrier distribution, and autocorrelation functions for various scattering mechanisms. We examine the d...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Tran, Thi Hai
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: H. : ĐHQGHN 2017
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://repository.vnu.edu.vn/handle/VNU_123/55379
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة