An area and energy efficient ultra-low voltage level shifter with pass transistor and reduced-swing output buffer in 65-nm CMOS
This brief presents an ultra-low voltage level shifter (LS) with fast and energy-efficient voltage conversion from the deep subthreshold region to the superthreshold region. The proposed LS achieves better performance and increased energy efficiency by addressing the reduced swing and the slow fall...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Le, Van Loi, Kim, Tony Tae-Hyoung |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2019
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/105835 http://hdl.handle.net/10220/48774 http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2018.2820155 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Design and analysis of RF phase shifter in CMOS
بواسطة: Kartasasmita, Hermawan Steven
منشور في: (2024) -
Design and analysis of passive phase shifters using controllable defected ground structures in 65nm CMOS technology for 77-81 GHz automotive radar
بواسطة: Wu, Jiaqi
منشور في: (2024) -
Total Ionizing Dose (TID) Effects on Finger Transistors in a 65nm CMOS Process
بواسطة: Jiang, Jize, وآخرون
منشور في: (2016) -
Large bandwidth digital phase shifters with all-pass, high-pass, and low-pass networks
بواسطة: Tang, X., وآخرون
منشور في: (2014) -
Design of large bandwidth phase shifters using common mode all-pass networks
بواسطة: Tang, X., وآخرون
منشور في: (2014)