Oxide-defects driven study on reliability and synaptic response characterization of logic devices
The thesis discusses our studies on the key characterization issues and physical mechanisms of channel-hot carrier (CHC) stressing in reliability and variability in nanoscale MOS devices. This provides physical understanding of HCD in reliability qualification and helps reliability-aware circuits de...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thesis-Doctor of Philosophy |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/152681 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |