Strain-modulated photoelectric responses from a flexible α-In₂Se₃/3R MoS₂ heterojunction
Semiconducting piezoelectric α-In2Se3 and 3R MoS2 have attracted tremendous attention due to their unique electronic properties. Artificial van der Waals (vdWs) heterostructures constructed with α-In2Se3 and 3R MoS2 flakes have shown promising applications in optoelectronics and photocatalysis. Here...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Cai, Weifan, Wang, Jingyuan, He, Yongmin, Liu, Sheng, Xiong, Qihua, Liu, Zheng, Zhang, Qing |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/164449 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Near-Infrared Photoelectric Properties of Multilayer Bi2O2Se Nanofilms
بواسطة: Yang, H., وآخرون
منشور في: (2021) -
Wafer-scale demonstration of low-loss (∼0.43 dB/cm), high-bandwidth (>38 GHz), silicon photonics platform operating at the C-band
بواسطة: Sia, Brian Jia Xu, وآخرون
منشور في: (2022) -
Silicon modulators and germanium photodetectors on SOI: Monolithic integration, compatibility, and performance optimization
بواسطة: Liow, T.-Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Liquid exfoliated 2D materials for photodetectors: MoS2
بواسطة: Guan, Zheng
منشور في: (2025) -
Mid-infrared 2D Photodetector based on bilayer PtSe2
بواسطة: Yu, Xuechao, وآخرون
منشور في: (2016)