Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE

Lightly Si-doped molecular beam epitaxy (MBE) GaAs layers have been characterized using Hall effect and low temperature (4.2 K) photoluminescence (PL) measurements. The correlation between As effusion cell temperature and residual CO vapor intensity, oval defect density, C acceptor concentration and...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Li, Chaoyong.
مؤلفون آخرون: Zhang, Dao Hua
التنسيق: Theses and Dissertations
اللغة:English
منشور في: 2009
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://hdl.handle.net/10356/19632
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English